ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計（20）～まとめ：CPU設計の将来像
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計（20）～まとめ：CPU設計の将来像：福田昭のデバイス通信（31）（1/3 ページ） シリーズ最終回となる今回は、これまでの内容をまとめてみよう。トランジスタの将来像から、消費電力と性能のバランスの取り方、微細化（スケーリング）の余地の拡大まで、ひと通り振り返る。 トランジスタ、配線、メモリの微細化が困難に ARMが7nm CMOS時代のCPU設計を解説した講演の紹介レポートも、今回が最終回になる。講演は最後のまとめに入った。まず、講演の途中で小さなまとめとして挿入した講演スライド5枚を、再掲した。 初めの講演スライドでは、IEDMの発表が次々世代以降のCPU開発でトランジスタ選択を決める重要な指針であることを示すとともに、物理設計の基本となるスタンダードセルのレイアウトとデバイス寸法の関係を説明した。 次のスライドでは主に、論理設計と物理設計
用途に応じた4種類のプロセスを用意 - GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの提供を開始
レポート 用途に応じた4種類のプロセスを用意 - GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの提供を開始 GLOBALFOUNDRIES(GF)は7月13日(独時間)、22nm世代の完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD-SOI)プロセスとして「22FDxプラットフォーム」を発表した。これに関するプレゼンテーションなどは7月14一時点では一切存在せず、あくまでもプレスリリースベースでの話ではあるが、電話会議の形で同社のGregg Bartlett氏(SVP, CMOS Platform Business Unit)から説明および質疑応答を受ける事が出来たので、内容をまとめてお届けしたい。 今回同社が提供するのは、22nmのFD-SOIベースの4種類のプロセスである。いずれもトランジスタそのものは従来のプレナー型であり 22FD-ulp(Ultra Low Power):
AMDは失地を回復できるのか──AMD CEOに聞く
AMDは失地を回復できるのか──AMD CEOに聞く：「小さなもの」から「大きなもの」へシフトする（1/3 ページ） 半導体を知る人がAMDのトップに立った 2014年10月にAMDのCEOに就任したリサ・スー氏がAMDに参画したのは2012年1月のことだ。製品戦略やロードマップなどを統括するグローバルビジネス担当の上級副社長となったスー氏は、その後、PC市場に依存していたAMDのビジネス配分を、組み込み市場などに分散することで収益性の改善を図ってきた。 果たして、AMDは2013年にソニー「プレイステーション 4」やMicrosoft「Xbox One」のカスタムチップビジネスを獲得し、スー氏は、2012年に10％足らずしかなかった非PC分野の収益を、2014年には40％を占めるまでに成長することに成功した。その手腕が買われ、2014年6月には全事業を統括するCOO（Chief Oper
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの製造を2016年から開始
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの製造を2016年から開始：2018年には年間数十万ウエハーの生産を計画（1/2 ページ） GLOBALFOUNDRIESは、2016年から22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）の生産を始めると発表した。2018年ごろには300mmウエハー換算で年間30万枚前後の規模で量産を行う計画で、14nm世代、10nm世代への微細化も検討する方針。 ドレスデン28nmラインを改良 GLOBALFOUNDRIES（グローバルファウンドリーズ）は2015年7月13日（米国時間）、2016年から製造開始予定の22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）技術を発表した。今後、ドイツ・ドレスデンの生産拠点に、2億5000万米ドルを投資し、22nm FD-SOI製造ラインを整備。2016年からリスク生産を行い
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