用途に応じた4種類のプロセスを用意 - GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの提供を開始
レポート 用途に応じた4種類のプロセスを用意 - GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの提供を開始 GLOBALFOUNDRIES(GF)は7月13日(独時間)、22nm世代の完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD-SOI)プロセスとして「22FDxプラットフォーム」を発表した。これに関するプレゼンテーションなどは7月14一時点では一切存在せず、あくまでもプレスリリースベースでの話ではあるが、電話会議の形で同社のGregg Bartlett氏(SVP, CMOS Platform Business Unit)から説明および質疑応答を受ける事が出来たので、内容をまとめてお届けしたい。 今回同社が提供するのは、22nmのFD-SOIベースの4種類のプロセスである。いずれもトランジスタそのものは従来のプレナー型であり 22FD-ulp(Ultra Low Power):
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの製造を2016年から開始
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの製造を2016年から開始：2018年には年間数十万ウエハーの生産を計画（1/2 ページ） GLOBALFOUNDRIESは、2016年から22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）の生産を始めると発表した。2018年ごろには300mmウエハー換算で年間30万枚前後の規模で量産を行う計画で、14nm世代、10nm世代への微細化も検討する方針。 ドレスデン28nmラインを改良 GLOBALFOUNDRIES（グローバルファウンドリーズ）は2015年7月13日（米国時間）、2016年から製造開始予定の22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）技術を発表した。今後、ドイツ・ドレスデンの生産拠点に、2億5000万米ドルを投資し、22nm FD-SOI製造ラインを整備。2016年からリスク生産を行い
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIプロセスでの製造を2016年に開始か
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIプロセスでの製造を2016年に開始か：「ムーアの法則」から抜け出す時？（1/2 ページ） GLOBALFOUNDRIESは、22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）プロセスの導入について、2016年末の量産開始を目指すという。同社は「28nm FinFETと同程度のコストで、14nm FinFETと同等の性能を実現できる」としている。 GLOBALFOUNDRIESのディレクタ兼設計エンジニアであるGerd Teepe氏が、フランスCEA-Leti（フランス原子力庁の電子情報技術研究所）主催のFD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）ワークショップに姿を現した。同氏が参加したということは、GLOBALFOUNDRIESが近々、FD-SOIに関する重大な発表を行うのではないかといううわさが、信ぴょう
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