格罗方德在2025年9月25日的上海FD-SOI论坛上提出,FD-SOI技术正以“为边缘AI量身打造”的定位,推动全球多个行业的变革。当前,AI无处不在已成为技术发展的核心趋势,物理AI的兴起让各类设备从“能思考”向“能行动”跨越,而这一过程中,功耗管理、连接性能与设备自主性成为关键挑战,FD-SOI技术则恰好成为应对这些挑战的核心解决方案。边缘AI的普及正在重塑市场格局,从移动设备、汽车到数据中心与物联网,各领域对技术的需求呈现出多样化且严苛的特征。移动设备需要延伸AI助手功能,实现沉浸式显示、高清摄像与音频体验;汽车行业迈入软件定义时代,自动驾驶、安全保障与驾乘舒适感的提升,对芯片的功耗、带宽和集成能力提出更高要求;数据中心与基础设施面临海量边缘数据处理压力,同时受限于功耗、尺寸与成本;物联网设备则追求“AI无处不在”,需在有限资源下实现安全连接与高效计算。这些需求的背后,都指向“高性能”与“超低功耗”的双重诉求,而FD-SOI技术正是格罗方德为满足这一诉求打造的核心产品。作为超低功耗产品的核心,FD-SOI技术已在多领域实现广泛应用,且需求持续加速。在智能移动设备中,它支撑着RF/mmWave前端、连接模块、成像与显示功能的高效运行;物联网领域里,无线MCU、边缘计算、成像与显示设备借助该技术突破功耗瓶颈;数据中心与基础设施方面,FD-SOI技术为卫星通信、无线基础设施及光网络收发器提供稳定支持;汽车行业更是将其用于雷达、智能传感器、MCU区域处理与车载网络,成为智能汽车发展的重要支撑。Ed Kaste指出,FD-SOI技术的优势集中体现在“连接”、“功耗”与“集成”三大维度,精准匹配AI设备的核心需求。在连接性能上,基于无掺杂硅通道的设计,FD-SOI技术能实现低失配、高性能的RF表现,尤其是在多频段展现出领先优势。从6GHz到140GHz频段,其Psat(饱和功率)与PAE(功率附加效率)持续提升,例如6GHz频段Psat性能提升2dBm、PAE提升7%,140GHz频段PAE提升6%。在功耗控制上,通过薄埋氧层设计,该技术实现了低漏电与功率性能的精准调控,即便在电池供电的设备中,也能在保证性能的前提下大幅降低能耗。在集成能力上,FD-SOI技术搭载了优化的嵌入式非易失性存储器(eNVM)组合,MRAM与RRAM两种方案各有侧重,分别适用于汽车及高要求工业应用和低功耗物联网与移动消费设备。从技术布局到市场落地,格罗方德的FD-SOI技术正构建起“连接-采集-处理-行动”的完整闭环,为边缘AI的发展提供稳定、高效的底层支撑。随着物理AI的深入渗透,FD-SOI技术将继续在功耗、连接与集成上突破创新,推动更多行业实现从“智能化”到“自主化”的跨越,成为全球技术变革中不可或缺的核心力量。
夏珍
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09/25 13:41